MOS的意思

    「MOS」經常作為「Metal-Oxide-Semiconductor」的縮寫來使用，中文意思：「金屬氧化物半導體」。

MOS（金屬氧化物半導體）詳細解釋

• 英文縮寫詞：MOS
• 英文單詞：Metal-Oxide-Semiconductor
• 中文簡要解釋：金屬氧化物半導體
• 流行度：793
• 分類：Computing
• 領域：Hardware

以上為Metal-Oxide-Semiconductor英文縮略詞MOS的中文解釋，以及該英文縮寫在英語的流行度、分類和應用領域方面的信息。

英文縮寫MOS的擴展資料

1. An efficient, self-consistent method of Monte Carlo and Poisson equation is used to simulate the electrical characteristic of deep submicron metal-oxide-semiconductor field effect Transistor ( MOSFET ).用蒙特卡羅-泊松方程自洽求解的方法，對深亞微米金屬-氧化物-半導體場效應晶體管&MOSFET的電特性進行了模擬。
2. CMOS image sensor is a manufactured image sensor using CMOS ( Complementary Metal-oxide-semiconductor ) technology.CMOS圖像傳感器是一種采用CMOS（ComplementaryMetal-oxide-semiconductor，互補金屬氧化物半導體(MOS)）工藝制造的圖像傳感器。
3. A 2-D charge threshold voltage model of double-diffusion metal-oxide-semiconductor ( DMOS ) device is proposed in the paper.提出了DMOS器件的二維電荷閾值電壓模型。
4. The Tight-Binding Method is adopted to investigate the I-V characteristics of a three-terminal single-benzene molecular device, with the results well reflecting the electrical characteristics of MOS ( Metal-Oxide-Semiconductor(MOS) ) devices.采用緊束縛近似法對由單苯基分子構成的三端器件的IV特性進行了研究，所得結果近似表現出了MOS（MetalOxideSemiconductor）器件的電學規律；
5. In order to implement an analog-to-digital converter ( ADC ) with pipeline structure of 10-bit high performance and low power dissipation, a design method based on 0.6 μ m complementary metal-oxide-semiconductor ( CMOS ) mixed signal technology was proposed.為了實現10位高性能和低功耗的流水線模擬數字轉換器ADC，提出了基于0.6微米互補型金屬氧化物半導體(MOS)（CMOS）混合信號工藝的電路設計方法。

「Metal-Oxide-Semiconductor」的縮寫「MOS」意思是「金屬氧化物半導體」。